賽迪顧問股份有限公司、新材料產業研究中心近日發布的《2020“新基建”風口下第三代半導體應用發展與投資價值白皮書》認為，在5G、新能源汽車、綠色照明、快充等新興領域蓬勃發展及國家政策大力扶持的雙重驅動力下，我國第三代半導體襯底材料和半導體器件市場繼續保持高速增長。預計未來3年中國第三代半導體襯底材料市場規模仍將保持20%以上的平均增長速度，到2022年將達到15.21億元；第三代半導體器件市場規模將達到608.21億元，增長率達到78.4%。

　　數據顯示，2019年，我國第三代半導體襯底材料市場規模達到7.86億元，同比增長31.7%；第三代半導體器件市場規模達到86.29億元，增長率達到99.7%。

　　白皮書認為，“新基建”一端連接著不斷升級的消費市場，另一端連接著飛速發展的科技創新。其中，5G基建、新能源汽車充電樁、特高壓及軌道交通四大領域的關鍵核心都與第三代半導體技術的發展息息相關：以GaN為核心的射頻半導體，支撐著5G基站建設；以SiC為核心的功率半導體，支撐著新能源汽車充電樁、特高壓以及軌道交通系統的建設。未來，以GaN和SiC為首的第三代半導體將成為支持“新基建”的核心材料。

　　目前，我國對于第三代半導體材料的投資熱情勢頭不減。賽迪顧問整理統計，2019年共17個增產（含新建和擴產）項目（2018年6個），已披露的投資擴產金額達到265.8億元（不含光電），較2018年同比增長60%。其中2019年SiC領域投資事件14起，涉及金額220.8億元。GaN領域投資事件3起，涉及金額45億元。在“新基建”的引領下，第三代半導體產業將成為未來半導體產業發展的重要引擎。

　　白皮書認為，國內半導體企業應當把握“新基建”帶來的新機遇。我國第三代半導體處于成長期，仍需要大規模資金投入、政策扶持，加大GaN、SiC的大尺寸單晶襯底的研發。此外，大尺寸單晶襯底的量產有助于降低器件成本、提高化合物半導體市場滲透率。