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II-VI 公司將合作建立碳化硅半導體基底制造基地

關鍵詞半導體基底|2005-05-25 00:00:00|來源中國磨料磨具網

摘要 II-VI公司宣布它將在Starkville與SemiSouth實驗室和密西西比州立大學合作建立一個碳化硅（SiC）半導體基底制造基地。碳化硅可用來作為藍紫光發光二極管的基底，同時...

　　II-VI公司宣布它將在Starkville與SemiSouth實驗室和密西西比州立大學合作建立一個碳化硅（SiC）半導體基底制造基地。
　　碳化硅可用來作為藍紫光發光二極管的基底，同時也能用于高溫電子學和光電子學、無線頻率電子學，還有高能電子學。
　　這個合作可以將II-VI的碳化硅基底的生產能力和SemiSouth在SiC晶體外延材料生長技術方面的優勢集中起來。技術和運營支持將由II-VI的WBMG技術中心提供。

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